参数 | 值 |
---|---|
产品 | IGBT |
型号编码 | IGW50N60H3n: 0 |
说明 | IGBT Tube |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 395 [库存更新时间:2025-04-12] |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 600V |
集电极—射极饱和电压 | 1.85V |
栅极/发射极最大电压 | 20V |
在25 C的连续集电极电流 | 100A |
功率 | 333W |
系列 | HighSpeed3 |
封装/外壳 | Tube |
栅极—射极漏泄电流 | 100nA |
工作温度 | -40°C ~ 175°C |
参数 | 值 |
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产品 | IGBT |
型号编码 | IGW50N60H3n: 0 |
说明 | IGBT Tube |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 395 [库存更新时间:2025-04-12] |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 600V |
集电极—射极饱和电压 | 1.85V |
栅极/发射极最大电压 | 20V |
在25 C的连续集电极电流 | 100A |
功率 | 333W |
系列 | HighSpeed3 |
封装/外壳 | Tube |
栅极—射极漏泄电流 | 100nA |
工作温度 | -40°C ~ 175°C |